寬禁帶半導體模塊動態參數測試系統-凯发国际

半導體模塊動態參數測試系統 功率模塊通常比分立功率器件具有更高的功率密度，因為其通過集合多個場效應晶體管（FET）芯片以增加電流。對于一些電動車應用來說，采用增加電壓或大電流來減少充電時間和延長續航能力尤為必要。測試設備必須具備對高壓高流的測試能力能力，才能更好的對WBG電源模塊進行評估。

大多數電力電子應用需要半橋結構作為變頻器和轉換器的基礎，根據不同的應用，市面上常見的如二合一、四合一或六合一的配置。而對于半導體模塊動態參數測試系統，如TO-247封裝，多數情況下只需要測試器件的下管即可評估其性能。然而，對于功率模塊，凯发国际不能假定上管和下管的特性一致，需要同時對上管和下管進行測量，以確定整個半橋模塊的特性，這是由于在半橋結構中，上管與下管之間的結點處電壓是隨著開關動態變化的。

這就意味著針對上管的測試非常具有挑戰性，尤其是在很低的柵極電壓情況下，如10~20V，當源極上下切換時，實現幾百伏的電壓轉換速率是極為困難的，除非使用高共模抑制測量技術。當測量上管Vgs時，高的共模抑制比是進行準確測量的重要參數，而測量探頭的帶寬和噪聲也是能夠準確測量的關鍵因素。

評估功率模塊時，電路板的布局需要仔細設計，因為雙脈沖測試（DPT）測試板集成了幾乎所有的雙脈沖測試元件，比如與電源模塊的連接器、柵極驅動器、去耦電容以及電流測量模塊。而被測件通常被焊接到測試板上，以減少雜散電感。由于測試過程中反復焊接不同的待測件，使得對功率模塊的測量過程費時費力。

基于新一代寬禁帶器件組成的功率模塊，其電壓和電流的容限更高，對測試儀器的精度和安全性也要求更高，每次測試都需要對儀器進行校準，使用傳統的硅(Si)功率器件的半導體模塊動態參數測試系統，或者函數發生器、電源、凯发k8官方旗舰店和探頭集成的簡易設備，已經很難適應新型的IGBT和SiC模塊測試需求；另外隨著功率模塊動輒幾百伏的電壓和幾百安的電流容限，對測試人員和設備的保護也變得越來越重要。

功率模塊的溫度依賴性在動態測量是至關重要的，因為模塊最終使用的場景往往要在惡劣的環境中進行，比如炎熱的沙漠、潮濕的熱帶雨林或極度寒冷的高緯度地區，測試系統也需要具備相應的高低溫的測試能力。